三星半導體社長︰下兩季DRAM恐供過於求

〔記者王珮華／台北報導〕DRAM籠罩旺季不旺陰霾，全球最大記憶體晶片廠南韓三星電子半導體社長權五鉉昨日表示，DRAM受PC市況影響，的確較為疲弱，第四季須要觀察美國感恩節買氣，若PC需求持續低迷，未來兩季DRAM恐供過於求。



PC需求低是主因

權五鉉昨來台主持三星電子一年一度的「三星行動解決方案年度論壇」，由於近期DRAM利空消息不斷，DDR2 1G現貨價一度跌破2美元，DDR3現貨價也來到2.3美元，創波段新低，市場相當關心三星對後市看法。

權五鉉表示，下半年在智慧型手機、平板電腦等產品需求增加之際，快閃記憶體仍吃緊；伺服器、電視等消費性商品用DRAM也在穩定中保持緊俏，但標準型記憶體DRAM需求，受到PC出貨不振影響，的確比較疲弱，預期第四季到明年第一季可能發生供過於求現象。但對三星而言，產品線多元，此消彼長，第三季出貨可望比第二季成長。

權五鉉也指出，在DRAM製程上，三星目前以40奈米為主，明年將會量產32奈米產品，接下來很快會做到28奈米；至於NAND Flash在各式手持裝置大行其道之際，需求有所支撐，價格應可維持小跌，在NAND Flash製程上，三星已從30奈米轉為20奈米，預計明年20奈米技術就會成為市場主流。

外傳三星明年將擴大資本支出至30兆韓元（約8,142億台幣），但權五鉉表示，第一次聽到這個數字，該數字可能是指三星集團資本支出，而非三星半導體，三星半導體今年資本支出約100億美元。

市場研究機構Gartner日前大膽唱衰DRAM，認為2011年起DRAM將進入衰退的景氣循環面，估計為期兩年，由於三星加大擴產力度，搶攻市占率，可以在景氣大好時，賺回數倍先前虧損的金額，但反觀台灣DRAM業者，在這一年進帳恐難彌補先前虧損。

文章來源: 自由